11月7日，三星宣布开始量产三星产品中存储密度最高的1 TB ( TB ) 3位单元( TLC )第8代V-NAND。 搭载最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，输入输出( I/O )速度为2.4 Gbps (千兆位/秒)，比上一代提高了1.2倍，这是PCIe 4.0.